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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 111RKI120PBF
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111RKI120PBF

更新时间： 2024-02-12 06:00:08
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
7页 139K
描述
Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A

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111RKI120PBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：5.2
Is Samacsys：N标称电路换相断开时间：110 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：120 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：200 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-CUPM-H3最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：2180 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：110000 A
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：172 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

111RKI120PBF 数据手册

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110RKI...PbF/111RKI...PbF Series  
Phase Control Thyristors  
(Stud Version), 110 A  
Vishay High Power Products  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
IT(AV)  
IT(RMS)  
TEST CONDITIONS  
180° conduction, half sine wave  
DC at 83 °C case temperature  
VALUES UNITS  
110  
90  
A
Maximum average on-state current  
at case temperature  
°C  
Maximum RMS on-state current  
172  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
2080  
2180  
1750  
1830  
21.7  
19.8  
15.3  
14.0  
217  
No voltage  
reapplied  
A
Maximum peak, one-cycle  
non-repetitive surge current  
ITSM  
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
initial TJ = TJ maximum  
No voltage  
reapplied  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
kA2s  
100 % VRRM  
reapplied  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
VT(TO)1  
VT(TO)2  
rt1  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
kA2√s  
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
Low level value of on-state slope resistance  
High level value of on-state slope resistance  
Maximum on-state voltage  
(16.7 % x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
0.82  
1.02  
2.16  
1.70  
1.57  
200  
V
(16.7 % x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
mΩ  
V
rt2  
VTM  
IH  
Ipk = 350 A, TJ = TJ maximum, tp = 10 ms sine pulse  
Maximum holding current  
TJ = 25 °C, anode supply 6 V resistive load  
mA  
Typical latching current  
IL  
400  
SWITCHING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum non-repetitive rate of  
rise of turned-on current  
Gate drive 20 V, 20 Ω, tr ≤ 1 µs  
TJ = TJ maximum, anode voltage ≤ 80 % VDRM  
dI/dt  
300  
A/µs  
Gate current 1 A, dIg/dt = 1 A/µs  
Vd = 0.67 % VDRM, TJ = 25 °C  
Typical delay time  
Typical turn-off time  
td  
tq  
1
µs  
ITM = 50 A, TJ = TJ maximum, dI/dt = - 5 A/µs  
110  
V
R = 50 V, dV/dt = 20 V/µs, gate 0 V 25 Ω  
BLOCKING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum critical rate of rise of  
off-state voltage  
dV/dt  
TJ = TJ maximum linear to 80 % rated VDRM  
TJ = TJ maximum rated VDRM/VRRM applied  
500  
V/µs  
Maximum peak reverse and  
off-state leakage current  
IRRM  
,
20  
mA  
IDRM  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 94379  
Revision: 11-Aug-08  
1234567

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