111RKI120PBF

更新时间： 2024-02-23 00:52:59

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威世 - VISHAY		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
7页	139K
描述
Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A

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111RKI120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	标称电路换相断开时间：	110 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	120 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	200 mA	JEDEC-95代码：	TO-209AC
JESD-30 代码：	O-CUPM-H3	最大漏电流：	20 mA
通态非重复峰值电流：	2180 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	110000 A
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	172 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

111RKI120PBF 数据手册

110RKI...PbF/111RKI...PbF Series

Phase Control Thyristors

(Stud Version), 110 A

Vishay High Power Products

100

Rectangular gate pulse

a) Recommended load line for

rated dI/dt: 20 V, 30 Ω

(1) P_GM= 12 W, t_p= 5 ms

(2) P_GM= 30 W, t_p= 2 ms

(3) P_GM= 60 W, t_p= 1 ms

(4) P_GM= 200 W, t_p= 300 µs

t_r≤ 0.5 µs, t_p≥ 6 µs

b) Recommended load line for

≤ 30 % rated dI/dt: 15 V, 40 Ω

(a)

t_r≤ 1 µs, t_p≥ 6 µs

(b)

1.0

(2) (3)

(1)

(4)

V_GD

I_GD

0.01

Frequency limited by P_G(AV)

Device: 111RKI Series

0.1

0.001

0.1

1.0

100

1000

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 9 - Gate Characteristics

ORDERING INFORMATION TABLE

Device code

RKI 120 PbF

I_T(AV)rated average output current (rounded/10)

0 = Eyelet terminals (gate and auxiliary cathode leads)

1 = Fast-on terminals (gate and auxiliary cathode leads)

Thyristor

Voltage code x 100 = V_RRM(see Voltage Ratings table)

Lead (Pb)-free

LINKS TO RELATED DOCUMENTS

http://www.vishay.com/doc?95003

Dimensions

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 94379

Revision: 11-Aug-08

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