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100N3LF3

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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15页	435K
描述
N-channel 30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET TM II Power MOSFET

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100N3LF3 数据手册

STD100N3LF3 - STU100N3LF3

Electrical characteristics

Table 6.

Symbol

Switching times

Parameter

Test conditions

Min.

Typ. Max. Unit

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn-on delay time

Rise time

V_DD= 15V, I_D= 40A,

R_G=4.7Ω, V_GS=10V

Figure 14 on page 9

205

Turn-off delay time

Fall time

Table 7.

Symbol

Source drain diode

Parameter

Test conditions

Min

Typ. Max Unit

I_SD

Source-drain current

320

1.3

(1)

Source-drain current (pulsed)

Forward on voltage

I_SDM

(2)

I_SD= 40A, V_GS= 0

I_SD= 80A,

V_SD

µC

t_rr

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

Reverse recovery current

di/dt = 100A/µs,

Q_rr

V_DD= 25V, T_J= 150°C

I_RRM

Figure 16 on page 9

1. Pulse width limited by safe operating area

2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5%

5/15

1 2 3 456 7 8...15

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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100N5AF	ANAREN	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 3000MHz Max	获取价格
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100NA0.47MFA5X11	RUBYCON	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.47	获取价格
100NA0.47MKC5X11	RUBYCON	Aluminum Electrolytic Capacitor, Non-polarized, Aluminum (wet), 100V, 20% +Tol, 20% -Tol,	获取价格