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100BGQ030J

更新时间: 2024-02-17 11:10:51
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7页 129K
描述
SCHOTTKY RECTIFIER

100BGQ030J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:R-PSFM-F1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.58
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.58 VJESD-30 代码:R-PSFM-F1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:4500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

100BGQ030J 数据手册

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100BGQ030, 100BGQ030J  
Bulletin PD-20996 rev. E 12/02  
100  
80  
60  
40  
20  
0
150  
140  
D = 0.20  
D = 0.25  
D = 0.33  
D = 0.50  
D = 0.75  
DC  
130  
120  
110  
100  
90  
RMS Limit  
DC  
Sq ua re wa ve (D = 0.50)  
80% Ra te d V a p p lie d  
R
se e note (3)  
80  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
Ave ra g e Forwa rd Curre nt - I (A)  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
Ave ra g e Forwa rd Curre nt - I (A)  
F(AV)  
F(AV)  
Fig.5-MaximumAllowableCaseTemperature  
Vs.AverageForwardCurrent  
Fig.6-Forward Power Loss Characteristics  
10000  
1000  
At Any Ra te d Loa d C ond ition  
And With Ra te d V  
Following Surg e  
Ap p lie d  
RRM  
100  
10  
100  
1000  
10000  
Sq ua re Wa ve Pulse Dura tion - t (m ic rose c )  
p
Fig.7-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
L
HIG H-SPEED  
SWITCH  
IRFP460  
DUT  
FREE-WHEEL  
DIO DE  
Rg = 25 ohm  
Vd = 25 Volt  
+
C URRENT  
MONITOR  
40HFL40S02  
Fig.8-Unclamped Inductive Test Circuit  
(3) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC  
;
Pd = Forward Power Loss = IF(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);  
PdREV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1 = 80% rated VR  
www.irf.com  
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