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1.5KE36CA-E3/54

更新时间： 2024-01-20 12:19:24
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
6页 110K
描述
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor

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1.5KE36CA-E3/54 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：0.71Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最大击穿电压：37.8 V
最小击穿电压：34.2 V击穿电压标称值：36 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：49.9 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：6.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30.8 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

1.5KE36CA-E3/54 数据手册

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1.5KE6.8A thru 1.5KE540A, 1N6267A thru 1N6303A  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
75  
UNIT  
Typical thermal resistance, junction to ambient  
Typical thermal resistance, junction to lead  
RJA  
°C/ W  
RJL  
15.4  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED PIN  
UNIT WEIGHT (g) PREFERRED PACKAGE CODE BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
1.5KE6.8A-E3/54  
0.968  
0.968  
54  
C
1400  
1400  
13" diameter paper tape and reel  
13" diameter paper tape and reel  
1.5KE6.8AHE3_A/C (1)(2)  
Notes  
(1)  
AEC-Q101 qualified  
Applied for 1.5KE6.8AHE3_A to 1.5KE220AHE3_A, and 1.5KE6.8CAHE3_A to 1.5KE220CAHE3_A  
(2)  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
100  
10  
1
150  
TJ = 25 °C  
Pulse Width (td)  
is defined as the Point  
where the Peak Current  
decays to 50 % of IPPM  
tr = 10 µs  
Peak Value  
IPPM  
100  
50  
0
Half Value -  
IPP  
2
IPPM  
10/1000 µs Waveform  
as defined by R.E.A.  
td  
0.1  
0.1 µs  
1.0 µs  
10 µs  
100 µs  
1.0 ms  
10 ms  
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
td - Pulse Width (s)  
t - Time (ms)  
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve  
Fig. 3 - Pulse Waveform  
100  
10 000  
Uni-Directional  
Bi-Directional  
75  
50  
VR = 0  
1000  
100  
10  
V
R = Rated  
Stand-Off Voltage  
25  
0
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150 175  
200  
5
10  
100  
500  
TJ - Initial Temperature (°C)  
VBR - Breakdown Voltage (V)  
Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature  
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance  
Revision: 11-Oct-16  
Document Number: 88301  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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