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1.5KE22CAHE3/54

更新时间： 2024-01-06 15:51:02
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
6页 103K
描述
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor

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1.5KE22CAHE3/54 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY最大击穿电压：23.1 V
最小击穿电压：20.9 V击穿电压标称值：22 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：30.6 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：6.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：18.8 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

1.5KE22CAHE3/54 数据手册

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1.5KE6.8A thru 1.5KE540A, 1N6267A thru 1N6303A  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
75  
UNIT  
Typical thermal resistance, junction to ambient  
Typical thermal resistance, junction to lead  
RJA  
RJL  
15.4  
°C/ W  
ORDERING INFORMATION (Example)  
PREFERRED PIN  
1.5KE6.8A-E3/54  
1.5KE6.8AHE3/54 (1)  
UNIT WEIGHT (g)  
PREFERRED PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
0.968  
54  
54  
1400  
1400  
13" diameter paper tape and reel  
13" diameter paper tape and reel  
0.968  
Note  
(1) AEC-Q101 qualified  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
100  
10  
1
150  
TJ = 25 °C  
Pulse Width (td)  
is defined as the Point  
where the Peak Current  
decays to 50 % of IPPM  
tr = 10 µs  
Peak Value  
IPPM  
100  
50  
0
Half Value -  
IPP  
2
IPPM  
10/1000 µs Waveform  
as defined by R.E.A.  
td  
0.1  
0.1 µs  
1.0 µs  
10 µs  
100 µs  
1.0 ms  
10 ms  
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
td - Pulse Width (s)  
t - Time (ms)  
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve  
Fig. 3 - Pulse Waveform  
100  
10 000  
Uni-Directional  
Bi-Directional  
75  
50  
VR = 0  
1000  
100  
10  
V
R = Rated  
Stand-Off Voltage  
25  
0
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
Vsig = 50 mVp-p  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150 175  
200  
5
10  
100  
500  
TJ - Initial Temperature (°C)  
VBR - Breakdown Voltage (V)  
Fig. 2 - Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature  
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance  
Revision: 22-Jan-14  
Document Number: 88301  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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