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1.5KE22CA

更新时间： 2024-02-15 21:37:49

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
Discrete POWER & Signal Technologies

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1.5KE22CA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.28	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	24.2 V	最小击穿电压：	19.8 V
击穿电压标称值：	22 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	31.9 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	17.8 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1.5KE22CA 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

1.5KE6.8(C)A - 1.5KE440(C)A

Features

1.0 min (25.4)

• Glass passivated junction.

• 1500W Peak Pulse Power capability

at 1.0 ms.

Dimensions in

inches (mm)

0.375 (9.525)

0.265 (6.731)

• Excellent clamping capability.

• Low incremental surge resistance.

• Fast response time; typically less

than 1.0 ps from 0 volts to BV for

unidirectional and 5.0 ns for

bidirectional.

0.210 (5.334)

0.188 (4.775)

DO-201AE

COLOR BAND DENOTES CATHODE

0.042 (1.067)

0.037 (0.940)

• Typical I_Rless than 1.0 µA above 10V.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

- Bidirectional types use CA suffix.

- Electrical Characteristics apply in both directions.

1500 Watt Transient Voltage Suppressors

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

P_PPM

I_PPM

P_D

minimum 1500

see table

5.0

Peak Pulse Power Dissipation at T_A= 25°C, T_P=1ms

Peak Pulse Current

Steady State Power Dissipation

.375 " lead length @ T_A= 75°C

Peak Forward Surge Current

i_f(surge)

superimposed on rated load (JEDEC method) ^{(Note 1)}

200

Storage Temperature Range

-65 to +175

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

-65 to +175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Note 1: Measured on 8.3 ms single half-sine wave; Duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

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