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1.5KE16A

更新时间： 2024-02-20 15:29:30

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海德 - HDSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1667K
描述
DO-27 Plastic-Encapsulate Diodes

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1.5KE16A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.24	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	16.8 V	最小击穿电压：	15.2 V
击穿电压标称值：	16 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	22.5 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	13.6 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1.5KE16A 数据手册

Typical Characteristics

FIG1:Peak Pulse Power Rating Curve

FIG2: Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature

100

Non-Repetitive Pulse

Waveform shown in Fige.3

TA=25℃

1.0

0.1

0.1μs

100

125

150

175 200

1.0μs

10μs

100μs

1.0ms

10ms

TJ（℃）

td(μs)

FIG4: Power Derating Curve

FIG3: Pulse Waveform

8.0

150

tr=10μs

TJ=25℃

60Hz

Resistive or

Inductive Load

7.0

Pulse Width(td) is defined as

the Point where the Peak

Current Decays to 50% of IPPM

Peak Value

IPPM

6.0

5.0

100

Half Value - IPP

IPPM

4.0

3.0

2.0

1.0

L=0.375''(9.5mm)

Lead Lengths

10/1000μs Waveform as

Defined by R.E.A.

100

125

150

175 200

TL（℃）

1.0

2.0

3.0

4.0

t（ms）

FIG6:Typical Transient Thermal Impedance

FIG5: Maximum Non-Repetitive Surge Current

100

200

TJ=TJMax.

8.3ms Single Half Sine-Wave

100

0.1

100

Number of Cycles

0.001

0.01

0.1

100

1000

tp(s)

igh Diode Semiconductor

1 2 3 456 7

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