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ZXTP2013G

更新时间： 2024-02-19 23:55:24
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 123K
描述
100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTP2013G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-89, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.39
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-F4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
Base Number Matches：1

ZXTP2013G 数据手册

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ZXTP2013G  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL  
MIN.  
-140  
-140  
-100  
-7  
TYP. MAX. UNIT CONDITIONS  
Co lle cto r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Em itte r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
BV  
BV  
BV  
BV  
-160  
-160  
-115  
-8.1  
Ͻ1  
V
V
I =-100␮A  
C
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
I =-1␮A, RBՅ1k⍀  
C
V
I =-10m A*  
C
V
I =-100␮A  
E
I
-20  
-0.5  
-20  
n A  
␮A  
n A  
␮A  
n A  
V =-100V  
CB  
CBO  
V
=-100V,T  
=100ЊC  
=100ЊC  
CB  
am b  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
V =-100V  
CB  
CER  
R Յ 1k⍀  
-0.5  
-10  
V =-100V,T  
CB  
am b  
Em itte r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
-20  
V
=-6V  
EBO  
EB  
Co lle cto r-e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
V
-30  
m V I =-0.1A, I =-10m A*  
C B  
CE(S AT)  
-70  
-90  
m V I =-1A, I =-100m A*  
C B  
-120  
-240  
-150  
-340  
m V I =-2A, I =-200m A*  
C B  
m V I =-4A, I =-400m A*  
C
B
Ba s e -e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
Ba s e -e m itte r tu rn -o n vo lta g e  
V
V
H
-985 -1100 m V I =-4A, I =-400m A*  
C B  
BE(S AT)  
BE(ON)  
FE  
-920 -1050 m V I =-4A, V =-2V*  
C
CE  
S ta tic fo rw a rd cu rre n t tra n s fe r ra tio  
100  
100  
25  
250  
200  
50  
I =-10m A, V =-1V*  
C CE  
300  
I =-1A, V =-1V*  
C CE  
I =-3A, V =-1V*  
C
CE  
15  
30  
I =-4A, V =-1V*  
C CE  
5
I =-10A, V =-1V*  
C CE  
Tra n s itio n fre q u e n cy  
f
125  
MHz I =-100m A, V =-10V  
T
C
CE  
f=50MHz  
Ou tp u t ca p a cita n ce  
S w itch in g tim e s  
C
42  
42  
p F  
n s  
V
=-10V, f=1MHz*  
OBO  
CB  
t
t
I =-1A, V =-10V,  
C CC  
ON  
OFF  
540  
I
=I =-100m A  
B1 B2  
* Measured under pulsed conditions. Pulse w idth Յ 300␮s; duty cycle Յ2%.  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
4
S E M IC O N D U C T O R S  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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