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ZXTP2013G

更新时间： 2024-01-08 21:45:54

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	123K
描述
100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTP2013G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-89, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3.5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP2013G 数据手册

ZXTP2013G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

S YMBOL

LIMIT

UNIT

Co lle cto r-b a s e vo lta g e

Co lle cto r-e m itte r vo lta g e

Em itte r-b a s e vo lta g e

-140

CBO

CEO

EBO

-100

-7

(a )

Co n tin u o u s co lle cto r cu rre n t

-5

-10

Pe a k p u ls e cu rre n t

(a )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

3.0

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

m W/°C

(b )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

1.6

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

12.8

m W/°C

°C

Op e ra tin g a n d s to ra g e te m p e ra tu re ra n g e

T , T

-55 to +150

s tg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

(a )

J u n ctio n to a m b ie n t

°C/W

⍜J A

NOTES

(a) For a device surface m ounted on 52m m x 52m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.

(b) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

ISSUE 1 - J UNE 2005

S E M IC O N D U C T O R S

123 4 5 6

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