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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTP2012G
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ZXTP2012G

更新时间： 2024-02-21 14:00:41
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 124K
描述
60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTP2012G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SOT-89, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.13Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4.3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

ZXTP2012G 数据手册

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ZXTP2012G  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL  
MIN.  
-100  
-100  
-60  
TYP.  
-120  
-120  
-80  
MAX. UNIT CONDITIONS  
Co lle cto r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Em itte r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
I =-100␮A  
C
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
I =-1␮A, RBՅ1k⍀  
C
V
I =-10m A*  
C
-7  
-8.1  
Ͻ1  
V
I =-100␮A  
E
I
-20  
-0.5  
-20  
n A  
␮A  
n A  
␮A  
n A  
V
=-80V  
CB  
CBO  
V
=-80V,T  
=100ЊC  
=100ЊC  
CB  
am b  
am b  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
V =-80V  
CB  
CER  
R Յ 1k⍀  
-0.5  
-10  
V =-80V,T  
CB  
Em itte r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
-15  
-55  
V
=-6V  
EBO  
EB  
Co lle cto r-e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
V
-25  
m V I =-0.1A, I =-10m A*  
C B  
CE(S AT)  
-70  
m V I =-1A, I =-100m A*  
C B  
-90  
-120  
-250  
m V I =-2A, I =-200m A*  
C B  
-195  
m V I =-5A, I =-500m A*  
C B  
Ba s e -e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
Ba s e -e m itte r tu rn -o n vo lta g e  
V
V
H
-1030 -1150 m V I =-5A, I =-500m A*  
C B  
BE(S AT)  
BE(ON)  
FE  
-920  
250  
200  
90  
-1020 m V I =-5A, V =-1V*  
C CE  
S ta tic fo rw a rd cu rre n t tra n s fe r ra tio  
100  
100  
45  
I =-10m A, V =-1V*  
C CE  
300  
I =-2A, V =-1V*  
C CE  
I =-5A, V =-1V*  
C
CE  
10  
25  
I =-10A, V =-1V*  
C CE  
Tra n s itio n fre q u e n cy  
f
120  
MHz I =-100m A, V =-10V  
T
C
CE  
f=50MHz  
Ou tp u t ca p a cita n ce  
S w itch in g tim e s  
C
48  
39  
p F  
n s  
V
=-10V, f=1MHz*  
OBO  
CB  
t
t
I =1A, V =10V,  
C CC  
ON  
OFF  
370  
I
=I =100m A  
B1 B2  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300␮s; duty cycle Յ2%.  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
4
S E M IC O N D U C T O R S  
123456

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