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ZXTP2012G

更新时间： 2024-02-23 06:17:25

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美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	124K
描述
60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTP2012G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SOT-89, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4.3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP2012G 数据手册

ZXTP2012G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

S YMBOL

LIMIT

-100

-60

UNIT

Co lle cto r-b a s e vo lta g e

CBO

CEO

EBO

Co lle cto r-e m itte r vo lta g e

Em itte r-b a s e vo lta g e

-7

Co n tin u o u s co lle cto r cu rre n t

-5.5

Pe a k p u ls e cu rre n t

(a )

-15

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

3.0

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

m W/°C

(b )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

1.6

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

12.8

-55 to +150

m W/°C

°C

Op e ra tin g a n d s to ra g e te m p e ra tu re ra n g e

T , T

j s tg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

(a )

J u n ctio n to a m b ie n t

°C/W

⍜J A

NOTES

(a) For a device surface m ounted on 52m m x 52m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.

(b) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

ISSUE 1 - J UNE 2005

S E M IC O N D U C T O R S

123 4 5 6

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