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ZXTN649FTA

更新时间： 2024-02-19 17:55:12

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	238K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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ZXTN649FTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.75	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.725 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXTN649FTA 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTN649F

Typical Electrical Characteristics (@T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Tamb=25°C

I_C/I_B=10

0.3

0.2

0.1

0.0

I_C/I_B=100

I_C/I_B=50

150°C

100°C

100m

10m

I_C/I_B=10

25°C

I_C/I_B=20

-55°C

I_C^10mCollect¹o⁰r⁰C^murrent (A)

I_CCollector Current (A)

10m

100m

V_CE(sat)v I_C

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

I_C/I_B=10

V_CE=2V

300

200

100

-55°C

25°C

150°C

100°C

25°C

150°C

100°C

-55°C

I_C^10mCollect¹o⁰r^0mCurrent (A)

I_C^10mCollect¹o⁰r⁰C^murrent (A)

h_FEv I_C

V_BE(sat)v I_C

200

180

160

140

120

100

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

V_CE=2V

f = 1MHz

-55°C

Cibo

25°C

Cobo

150°C

100°C

10m

^100mVoltage(V)

I_C^10mCollect¹o⁰r⁰C^murrent (A)

Capacitance v Voltage

V_BE(on)v I_C

ZXTN649F

Document number: DS31900 Rev. 3 - 2

5 of 7

www.diodes.com

January 2013

1 2 3 456 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXTNS618MC	DIODES	获取价格	20V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL
ZXTNS618MCTA	DIODES	获取价格	20V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL
ZXTP01500BG	DIODES	获取价格	PNP, 500V, 0.15A, SOT223
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ZXTP01500BGQTA	DIODES	获取价格	500V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
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