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ZXTP03200BZTA

更新时间： 2024-01-25 22:20:14

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	181K
描述
200V PNP Low VCE(sat) transistor

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ZXTP03200BZTA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	38.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	105 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP03200BZTA 数据手册

ZXTP03200BZ

200V PNP Low V_CE(sat) transistor in SOT89

Summary

BV_CEO> -200V

BV_ECO> -2V

I_C(cont)= 2A

V_CE(sat)< -160mV @ -1A

R_CE(sat)= 130mΩ

P_D= 2.4W

Description

Packaged in the SOT89 outline this new 5^thgeneration low

saturation 200V PNP transistor offers extremely low on state

losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various

driving and power management functions

Features

•

2 Amps continuous current

Up to 5 Amps peak current

Very low saturation voltage

Enhanced switching performance

Applications

DC-DC Convertors

•

Ordering Information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXTP03200BZTA

1000

Device Marking

1N2

www.zetex.com

www.diodes.com

Issue 1 - August 2008

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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