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ZHCS1000

更新时间： 2024-02-23 00:10:40

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捷特科 - ZETEX		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	166K
描述
SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”

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ZHCS1000 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	5.21
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.6 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	12 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向恢复时间：	0.012 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

ZHCS1000 数据手册

ZHCS1000

TYPICAL CHARACTERISTICS

100m

10m

+125°C

+100°C

100u

+50° C

100m

10u

+25°C

+125°C

10m

+25°C

-55°C

100n

10n

-55° C

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

VR - Reverse Voltage (V)

VF - Forward Voltage (V)

IR v VR

IF v VF

0.6

0.4

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

Typical

Tj=125°C

D=t

₁/t_p

I_F(pk)

D=0.5

_F(av)=D x I

D=0.2

F(pk)

D=t

₁/t_p

I _F(pk)

D=0.1

D=0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

=D x

_F(av)I

D=0.05

F(pk)

_F(av)=I _F(av)

105

115

125

0.4

0.8

1.2

TC - Case Temperature (°C)

IF(av) - Avg Fwd Curr (A)

PF(av) v IF(av)

IF(av) v TC

125

100

200

100

Typical

Rth=100° C/W

Rth=200° C/W

Rth=300° C/W

100

VR - Reverse Voltage (V)

T^av V^R

CD v VR

123

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