ZHCS1006

更新时间： 2024-02-16 02:01:12

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捷特科 - ZETEX		整流二极管光电二极管
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描述
SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”

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ZHCS1006 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIATURE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.31	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.9 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

ZHCS1006 数据手册

SOT23 SILICON HIGH CURRENT

SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”

ZHCS1006

ISSUE 1 - NOVEMBER 1997

✪

FEATURES:

•

High current capability

•

Low V_F

APPLICATIONS:

•

Mobile telecomms, PCMIA & SCSI

•

DC-DC Conversion

PARTMARKING DETAILS : S16

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_R

VALUE

UNIT

Continuous Reverse Voltage

Forward Current

900

600

1600

I_F

Forward Voltage @ I_F= 1000mA(typ)

Average Peak Forward Current;D.C.= 50%

V_F

I_FAV

I_FSM

Non Repetitive Forward Current t≤100µs

t≤10ms

Power Dissipation at T_amb= 25° C

Storage Temperature Range

Junction Temperature

P_tot

T_stg

T_j

500

-55 to + 150

125

° C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25° C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)R

MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage

I_R= 300µA

Forward Voltage

V_F

245

275

330

395

455

510

620

280

320

390

470

530

600

740

I_F= 50mA*

I_F= 100mA*

I_F= 250mA*

I_F= 500mA*

I_F= 750mA*

I_F= 1000mA*

I_F= 1500mA*

Reverse Current

I_R

100

V_R= 45V

µA

Diode Capacitance

C_D

t_rr

f= 1MHz,V_R= 25V

Reverse Recovery

Time

switched from

I_F= 500mA to I_R=

500mA

Measured at I_R= 50mA

*Measured under pulsed conditions. Pulse width= 300µs. Duty cycle ≤2%

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