Z0109MN6AA4

更新时间： 2024-01-11 20:38:10

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		触发装置可控硅三端双向交流开关光电二极管
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Standard 1A Triacs

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Z0109MN6AA4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.58
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

Z0109MN6AA4 数据手册

Z01

Characteristics

Figure 9.

On-state characteristics

(maximum values) (I = f(V

Figure 10. Relative variation of critical rate

of decrease of main current versus

(dV/dt)

)

I (A)

(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c

10.0

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

= T max.

1.0

T_j=max.

V_t0=0.95 V

R_d=400 mΩ

Z0109

= 25°C

Z0103

Z0107

Z0110

(dV/dt)c (V/µs)

(V)

0.1

1.0

10.0

100.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

Figure 11. Relative variation of critical rate of Figure 12. SOT-223 and SMBflat-3L thermal

decrease of main current (dI/dt)

versus junction temperature

resistance junction to ambient

versus copper surface under case

R_th(j-a)(°C/W)

170

160

150

140

130

120

110

100

(dI/dt)c [T ] / (dI/dt)c [T Specified]

SMBF3L

SOT223

T (°C)

S_CU(cm²)

100

125

Figure 13. Relative variation of static dV/dt immunity versus junction temperature (gate open)

dV/dt [T_j] / dV/dt [T_j=125 °C]

V_D=V_R=402V

T_j(°C)

100

125

Doc ID 7474 Rev 10

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