Z0107

更新时间： 2024-01-10 04:42:23

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恩智浦 - NXP		可控硅
页数	文件大小	规格书
12页	246K
描述
Triacs

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Z0107 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	其他特性：	SENSITIVE GATE
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	5 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	10 mA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.01 mA
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1 A
断态重复峰值电压：	700 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

Z0107 数据手册

Z0103/07/09 series

Philips Semiconductors

Triacs

6. Characteristics

Table 5:

Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Static characteristics

I_GT

gate trigger current

Z0103MA/MN/NA/NN

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

Z0103MA/MN/NA/NN

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

latching current

V_D= 12 V; R_L= 30 Ω; T2+ G+; T2+ G−; T2− G−;

Figure 9

V_D= 12 V; R_L= 30 Ω; T2− G+; Figure 9

I_L

V_D= 12 V; R_L= 30 Ω; T2+ G+; T2− G−; T2− G+;

Figure 7

Z0103MA/MN/NA/NN

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

Z0103MA/MN/NA/NN V_D= 12 V; R_L= 30 Ω; T2+ G−; Figure 7

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

I_H

holding current

I_T= 50 mA; Figure 8

Z0103MA/MN/NA/NN

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

on-state voltage

1.6

1.3

V_T

Figure 6

1.3

V_GT

gate trigger voltage

V_D= 12 V; R_L= 30 Ω; T_j= 25 °C; Figure 11

V_D= V_DRM; R_L= 3.3 kΩ; T_j= 125 °C; Figure 11

0.2

I_D

off-state leakage current V_D= V_DRM(max); V_R= V_RRM(max);T_j= 125 °C

500

µA

Dynamic characteristics

dV_D/dt critical rate of rise of

V_D= 0.67 V_DRM(max); T_j= 110 °C; exponential

off-state voltage

waveform; gate open; Figure 10

Z0103MA/MN/NA/NN

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

V/µs

dV_com/dt critical rate of change of V_D= 400 V; I_T= 1 A; T_j= 110 °C;

commutating voltage

Z0103MA/MN/NA/NN

Z0107MA/MN/NA/NN

Z0109MA/MN/NA/NN

dI_com/dt = 0.44 A/ms; gate open

0.5

V/µs

9397 750 10102

Product data

Rev. 02 — 12 September 2002

5 of 12

1 2 3 456 7 8...12

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