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YJD217045NCFGH

更新时间： 2024-03-03 10:09:12

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TO-247-4L

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YJD217045NCFGH 数据手册

RoHS

COMPLIANT

YJD217045NCFGH

■Static Electrical Characteristics（Tc=25℃ unless otherwise specified ）

PARAMTETER

Gate threshold voltage

SYMBOL

V_GS(th)

UNIT

Min.

Typ.

Max.

Test Conditions

V_DS=V_GS, I_D= 5mA

Note

2.6

Fig.4, 11

Drain source breakdown voltage

V_(BR)DSS

1700

V_GS=0, I_D=100uA

100

500

250

V_DS=1700V, V_GS= 0V

V_DS=1700V, V_GS= 0V, Tj= 175℃

V_GS= 20V, V_DS=0V

Zero gate voltage drain current

Gate source leakage current

I_DSS

mΩ

I_GSS

100

V_GS=20V, I_D=30A

Current drain source on-state

resistance

R_{DS ON}

Fig.3, 5, 6

V_GS=20V, I_D=30A,Tj=175℃

V_DS=8.5V,I_D=30A

Transconductance

g_f

■Dynamic Electrical Characteristics（Tc=25℃ unless otherwise specified ）

PARAMTETER

Input capacitance

SYMBOL

Ciss

UNIT

Min.

Typ.

4141

145

Max.

Test Conditions

Note

V_DS=1000V, V_GS=0V, Tj=25℃,

Output capacitance

Reverse capacitance

Coss stored energy

Gate source charge

Coss

Crss

Fig.10

f=1MHz, V_AC= 25mV

V_DS=1200V, V_GS=0V, Tj=25℃,

Eoss

Qgs

119

Fig.12

Fig.16

f=1MHz, V_AC= 25mV

V_DS=1200V, V_GS=-5/20V, I_D=30A

f =1MHz, V_AC= 25mV

Gate drain charge

Gate charge

Qgd

304

0.7

Internal Gate Resistance

R_G(int)

■Switching Characteristics（Tc=25℃ unless otherwise specified ）

PARAMTETER

Turn on delay time

SYMBOL

UNIT

Min.

Typ.

Max.

Test Conditions

Note

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Rise time

V_DD=1200V, V_GS=-4/+20V, I_D=30A,

R_L=40Ω, R_G(ext)= 2.7Ω

Turn off delay time

Fall time

Turn on switching energy

Turn off switching energy

Eon

Eoff

194

326

V_DD=1200V, V_GS=0/+20V, I_D=30A,

Fig.17, 18

R_g(ext)=2.7Ω

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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

www.21yangjie.com

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