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XN02501(XN2501)

更新时间: 2024-09-29 23:33:19
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3页 188K
描述
複合デバイス - 複合トランジスタ

XN02501(XN2501) 数据手册

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複合トランジスタ  
XN02501 (XN2501)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
+0.20  
–0.05  
1.9 0.1  
(0.95) (0.95)  
2.90  
一般増幅用  
+0.10  
–0.06  
0.16  
3
4
5
特ꢀ長  
1パッケージ2 素子内蔵(ベース共通)  
実装積とアセンブリコストの半減が可能  
2
1
+0.10  
–0.05  
0.30  
10˚  
基  
種  
2SD0601A (2SD601A) × 2  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
60  
単位  
V
1 : Collector (Tr1)  
2 : Collector (Tr2)  
3 : Emitter (Tr2)  
EIAJ : SC-74A  
4 : Base  
5 : Emitter (Tr1)  
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
エミッース間電圧(C 開放時) VEBO  
50  
V
Mini5-G1 Package  
7
V
コレクタ電流  
尖頭コレクタ電流  
全許容損失  
合温度  
IC  
ICP  
PT  
100  
200  
300  
mA  
mA  
mW  
形名表示記号 : 5W  
内部接続図  
3
4
5
Tj  
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
Tr2  
2
Tr1  
1
電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
VCBO  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時)  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 20 V, IE = 0  
VCE = 10 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
60  
50  
7
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
V
エミッース間電圧(C 開放時)  
コレクース間遮断電流(E 開放時)  
コレクミッタ間遮断電流(B開放時)  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
V
0.1  
100  
µA  
µA  
流電流増幅率  
160  
460  
*
流電流増幅率比  
hFE(Small/ VCE = 10 V, IC = 2 mA  
0.50  
0.99  
Large)  
コレクミッタ間飽和電圧  
トランジション周 波数  
VCE(sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA  
0.1  
150  
3.5  
0.3  
V
MHz  
pF  
fT  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
コレクタ出力容量(入力開放時)  
Cob  
) 1. 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. : 2素子間比  
*
) 形名の( )内は来品  
番です  
発行年月 : 20038月  
SJJ00042BJD  
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