LMG2610
ZHCSNW8A –OCTOBER 2022 –REVISED DECEMBER 2022
LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集成650V GaN 半桥
1 特性
3 说明
• 650V GaN 功率FET 半桥
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于
开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF)
转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中
集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧
栅极驱动电平转换器,简化了设计、减少了元件数量并
减小了布板空间。
• 170mΩ 低侧和248mΩ 高侧GaN FET
• 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅
极驱动器
• 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
• 低侧/高侧栅极驱动互锁
• 高侧栅极驱动信号电平转换器
• 智能开关自举二极管功能
• 高侧启动:< 8us
非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优
化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传
统的电流检测电阻相比,低侧电流检测仿真可降低功
耗,并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接
地。
• 低侧/高侧逐周期过流保护
• 通过FLT 引脚报告实现过热保护
• AUX 空闲静态电流:240μA
• AUX 待机静态电流:50μA
• BST 空闲静态电流:60μA
• 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
• 具有双散热焊盘的9mm x 7mm QFN 封装
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出
现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自
举 FET 没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充,
并且反向恢复电荷为零。
LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换
器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括
FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和
过热关断。
2 应用
• 有源钳位反激式电源转换器
• 交流/直流适配器和充电器
• 交流/直流USB 墙壁插座电源
• 交流/直流辅助电源
器件信息
器件型号
封装(1)
封装尺寸(标称值)
LMG2610
QFN
9.00 mm x 7.00 mm
DH
BST
HS
GaN
Level
Shift RX
Driver
RDRVH
AUX
Level
Shift TX
INH
SW
EN
Control
FLT
LS
GaN
INL
Driver
RDRVL
Current
Emulation
CS
SL
AGND
简化版方框图
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