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XBP14E5UFN-G

更新时间: 2024-02-08 13:10:03
品牌 Logo 应用领域
特瑞仕 - TOREX 局域网测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DFN2510-10A, 10 PIN

XBP14E5UFN-G 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:DFN2510-10A, 10 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:1.6最大击穿电压:9 V
最小击穿电压:6 V击穿电压标称值:7.5 V
最大钳位电压:13 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-N10元件数量:1
端子数量:10最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
参考标准:IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压:5 V
最大反向电流:1 µA反向测试电压:5 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

XBP14E5UFN-G 数据手册

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XBP14E5UFN-G  
TAPING SPECIFICATIONS  
DFN2510-10A  
Unit : mm  
SYMBOL  
mm  
D0  
D1  
E
1.55 ± 0.05  
0.50 ± 0.05  
1.75 ± 0.10  
3.50 ± 0.05  
4.00 ± 0.10  
4.00 ± 0.10  
2.00 ± 0.05  
F
P0  
P1  
P2  
+ 0.30  
- 0.15  
W
8.00  
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