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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, SOIC-24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | 其他特性： | PAGE WRITE |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15.4 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP24,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | YES | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X28HC16SM-12 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 |
|
| X28HC16SM-55 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 |
|
| X28HC16SM-70 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 |
|
| X28HC16SM-90 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 |
|
| X28HC256 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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| X28HC256 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28HC256 | RENESAS |
获取价格 |
256K, 32K x 8 Bit; 5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
|
| X28HC256_07 | INTERSIL |
获取价格 |
5V, Byte Alterable EEPROM |
|
| X28HC256D-12 | ROCHESTER |
获取价格 |
LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM |
|
| X28HC256D-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
|
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