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X28C64DMB-25

更新时间： 2024-01-02 18:53:30
品牌 Logo 应用领域
XICOR 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 112K
描述
5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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X28C64DMB-25 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：HERMETIC SEALED, CERDIP-28Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.3最长访问时间：250 ns
其他特性：PAGE WRITE命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-GDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：37.15 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：7.24 mm最大待机电流：0.0002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
切换位：YES宽度：15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

X28C64DMB-25 数据手册

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64K  
X28C64  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
DESCRIPTION  
8K x 8 Bit  
FEATURES  
• 150ns Access Time  
The X28C64 is an 8K x 8 E2PROM, fabricated with  
Xicor’s proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C64 is a 5V only device. The  
X28C64 features the JEDEC approved pinout for byte-  
widememories,compatiblewithindustrystandardRAMs.  
• Simple Byte and Page Write  
—Single 5V Supply  
—No External High Voltages or VPP Control  
Circuits  
—Self-Timed  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
The X28C64 supports a 64-byte page write operation,  
effectively providing a 78µs/byte write cycle and en-  
abling the entire memory to be typically written in 0.625  
seconds. The X28C64 also features DATA and Toggle  
Bit Polling, a system software support scheme used to  
indicate the early completion of a write cycle. In addi-  
tion, theX28C64includesauser-optionalsoftwaredata  
protection mode that further enhances Xicor’s hard-  
ware write protect capability.  
• Low Power CMOS  
—60mA Active Current Max.  
—200µA Standby Current Max.  
• Fast Write Cycle Times  
—64 Byte Page Write Operation  
—Byte or Page Write Cycle: 5ms Typical  
—Complete Memory Rewrite: 0.625 sec. Typical  
—Effective Byte Write Cycle Time: 78µs Typical  
• Software Data Protection  
• End of Write Detection  
Xicor E2PROMs are designed and tested for applica-  
tions requiring extended endurance. Inherent data re-  
tention is greater than 100 years.  
—DATA Polling  
—Toggle Bit  
• High Reliability  
—Endurance: 100,000 Cycles  
—Data Retention: 100 Years  
• JEDEC Approved Byte-Wide Pinout  
PIN CONFIGURATION  
LCC  
PLCC  
PLASTIC DIP  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC  
TSOP  
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
1
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3
4
5
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A
A
A
A
A
A
NC  
NC  
V
NC  
WE  
NC  
A
A
A
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V
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0
0
1
2
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CC  
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3
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1
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29  
A
2
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A
A
A
A
A
A
A
5
6
7
8
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A
A
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NC  
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5
NC  
NC  
OE  
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9
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I/O  
I/O  
I/O  
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CE  
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I/O  
CE  
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2
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A
OE  
10  
I/O  
I/O  
V
I/O  
3
SS  
3853 ILL F23.1  
3853 FHD F03  
3853 FHD F02  
© Xicor, Inc. 1991, 1995 Patents Pending  
3853-2.7 4/2/96 T0/C3/D2 NS  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...25

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与X28C64DMB-25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C64DMB-35 XICOR

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
X28C64E XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C64E-15 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C64E-15T1 XICOR

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 		EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C64E-20 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C64E-20T1 XICOR

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 		EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C64E-25 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C64E-25T1 XICOR

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 		EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C64E-35 XICOR

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 		EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C64EI XICOR

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