生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.61 |
最长访问时间: | 250 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
长度: | 42.025 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 64KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 5 V |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 4.82 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C512PMB-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512R-12 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512R-12-G | ROCHESTER |
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EEPROM | |
X28C512R-15 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512R-20 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512R-25 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512R-25 | ROCHESTER |
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EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOIC-32 | |
X28C512R-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512R-90-G | ROCHESTER |
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EEPROM | |
X28C512RI-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |