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X28C512JZ-12T1

更新时间： 2024-10-03 14:25:07

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	456K
描述
64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32

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X28C512JZ-12T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.61	最长访问时间：	120 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PQCC-J32
JESD-609代码：	e3	长度：	13.97 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.55 mm
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

X28C512JZ-12T1 数据手册

X28C512, X28C513

Data Sheet

June 7, 2006

FN8106.2

5V, Byte Alterable EEPROM

Features

The X28C512, X28C513 are 64K x 8 EEPROM, fabricated

with Intersil’s proprietary, high performance, floating gate

CMOS technology. Like all Intersil programmable nonvolatile

memories, the X28C512, X28C513 are 5V only devices. The

X28C512, X28C513 feature the JEDEC approved pin out for

byte wide memories, compatible with industry standard

EPROMS.

• Access Time: 90ns

• Simple Byte and Page Write

- Single 5V supply

• No external high voltages or V control circuits

- Self-timed

• No erase before write

• No complex programming algorithms

• No overerase problem

The X28C512, X28C513 support a 128-byte page write

operation, effectively providing a 39µs/byte write cycle and

enabling the entire memory to be written in less than 2.5

seconds. The X28C512, X28C513 also feature DATA Polling

and Toggle Bit Polling, system software support schemes

used to indicate the early completion of a write cycle. In

addition, the X28C512, X28C513 support the software data

protection option.

• Low Power CMOS

- Active: 50mA

- Standby: 500µA

• Software Data Protection

- Protects data against system level inadvertent writes

• High Speed Page Write Capability

™

• Highly Reliable Direct Write Cell

- Endurance: 100,000 write cycles

- Data retention: 100 years

- Early end of write detection

- DATA polling

- Toggle bit polling

• Two PLCC and LCC Pinouts

- X28C512

• X28C010 EPROM pin compatible

- X28C513

• Compatible with lower density EEPROMs

• Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

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与X28C512JZ-12T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28C512JZ-15	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28C512JZ-15T1	RENESAS	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
X28C512K-12	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512K-12-G	ROCHESTER	获取价格	EEPROM
X28C512K-15	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512K-20	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512K-20-G	ROCHESTER	获取价格	EEPROM
X28C512K-25	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512K-25	ROCHESTER	获取价格	EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CPGA36, CERAMIC, PGA-36
X28C512K-25-G	ROCHESTER	获取价格	EEPROM

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