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X28C512JI-15C7871

更新时间： 2024-10-03 15:58:07

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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24页	598K
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64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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X28C512JI-15C7871 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	5	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.55 mm	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

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X28C512, X28C513

Data Sheet

May 23, 2005

FN8106.0

5V, Byte Alterable EEPROM

Features

• Access Time: 90ns

The X28C512, X28C513 are 64K x 8 EEPROM, fabricated

with Intersil’s proprietary, high performance, floating gate

CMOS technology. Like all Intersil programmable nonvolatile

memories, the X28C512, X28C513 are 5V only devices. The

X28C512, X28C513 feature the JEDEC approved pin out for

byte wide memories, compatible with industry standard

EPROMS.

• Simple Byte and Page Write

- Single 5V supply

• No external high voltages or V control circuits

- Self-timed

• No erase before write

• No complex programming algorithms

• No overerase problem

The X28C512, X28C513 support a 128-byte page write

operation, effectively providing a 39µs/byte write cycle and

enabling the entire memory to be written in less than 2.5

seconds. The X28C512, X28C513 also feature DATA Polling

and Toggle Bit Polling, system software support schemes

used to indicate the early completion of a write cycle. In

addition, the X28C512, X28C513 support the software data

protection option.

• Low Power CMOS

- Active: 50mA

- Standby: 500µA

• Software Data Protection

- Protects data against system level inadvertent writes

• High Speed Page Write Capability

™

• Highly Reliable Direct Write Cell

- Endurance: 100,000 write cycles

- Data retention: 100 years

- Early end of write detection

- DATA polling

- Toggle bit polling

• Two PLCC and LCC Pinouts

- X28C512

• X28C010 EPROM pin compatible

- X28C513

• Compatible with lower density EEPROMs

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28C512JI-15T1	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28C512JI-15T1C7168	RENESAS	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C512JI-15T2C7345	RENESAS	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C512JI-20	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512JI-20-G	ROCHESTER	获取价格	EEPROM
X28C512JI-20T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C512JI-25	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512JI-25T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C512JI-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C512JI-90	ROCHESTER	获取价格	EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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