Datasheet > X2816BDMB

X2816BDMB

更新时间： 2024-02-29 20:11:51

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
1页	73K
描述
x8 EEPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

X2816BDMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP24,.6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	300 ns	其他特性：	16 BYTE PAGE WRITE; OVER 100 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	100	JESD-30 代码：	R-PDIP-T24
JESD-609代码：	e0	长度：	31.56 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	页面大小：	16 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.82 mm
最大待机电流：	0.07 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X2816BDMB-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
X2816BE	XICOR	获取价格	EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X2816BE-20	XICOR	获取价格	EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, MOS, CQCC32,
X2816BE-25	XICOR	获取价格	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X2816BEI	ETC	获取价格	x8 EEPROM
X2816BEI-20	XICOR	获取价格	EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, MOS, CQCC32,
X2816BEI-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
X2816BEM	ETC	获取价格	x8 EEPROM
X2816BEM-25	ETC	获取价格	x8 EEPROM
X2816BEMB	ETC	获取价格	x8 EEPROM