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X0203NN

更新时间: 2024-01-28 13:51:46
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
5页 104K
描述
1A, 800V, SCR

X0203NN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.24外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:5 mA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
最大漏电流:0.005 mA通态非重复峰值电流:25 A
元件数量:1端子数量:4
最大通态电流:1400 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

X0203NN 数据手册

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X02xxxN  
Fig.7 :  
Fig.8 :  
Non repetitive surge peak on-state current  
On-state characteristics (maximum values).  
for a sinusoidal pulse with width : tp 10ms, and  
corresponding value of I2t.  
2
2
I
(A). I t (A s)  
I
(A)  
TM  
TSM  
100  
10  
1
100  
10  
1
Tj initial = 25oC  
Tj initial  
25oC  
I
TSM  
Tj max  
Tj max  
Vto =1.05V  
Rt =0.150  
2
I
t
V
(V)  
tp(ms)  
TM  
0.1  
1
10  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
4/5  

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