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X0203NN

更新时间： 2024-02-20 01:47:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅光电二极管栅极
页数	文件大小	规格书
5页	104K
描述
1A, 800V, SCR

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技术参数
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X0203NN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.24	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.005 mA	通态非重复峰值电流：	25 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	1400 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

X0203NN 数据手册

X02xxxN

Fig.1 :

Fig.2 :

Correlation between maximum average

power dissipation and maximum allowable tem-

perature (Tamb and Ttab).

Maximum average power dissipation ver-

sus average on-state current.

Ttab (^oC)

-85

P (W)

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

1.4

360

Rth(j-t)

1.2

-95

1.0

0.8

0.6

= 180^o

120^o

Rth(j-a)

-105

-115

-125

90^o

0.4

0.2

0.0

60^o

30^o

(A)

Tamb (^oC)

T(AV)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

100 120 140

Fig.3 :

perature.

Fig.4 :

Relative variation of thermal impedance

junction to ambient versus pulse duration.

Average on-state current versus tab tem-

Zth(j-a)/Rth(j-a)

1.00

(A)

T(AV)

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0.10

180^o

Standard foot print , e(Cu)=35

Ttab (^oC)

tp(s)

0.01

1E-3

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1 1E+2 5E+2

Fig.5 :

Fig.6 :

versus number of cycles.

Relative variation of gate trigger current and

Non repetitive surge peak on-state current

holding current versus junction temperature.

Igt[Tj]

Ih[Tj]

(A)

TSM

Igt[Tj=25 ^oC] Ih[Tj=25 ^oC]

Tj initial = 25^oC

10.0

9.0

8.0

7.0

6.0

Igt

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0.0

Number of cycles

Tj(^oC)

100

1000

-40 -20

80 100 120 140

3/5

1 234 5

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