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X0205MN

更新时间： 2024-01-11 17:05:36
品牌 Logo 应用领域
SUNTAC 栅极光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 74K
描述
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier

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X0205MN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.67外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.05 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.005 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：25 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：1400 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1 A
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

X0205MN 数据手册

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N
A
Advance Information  
SCR  
General Purpose  
STC X0205MN  
Sensitive Gate  
Silicon Controlled Rectifier  
Reverse Blocking Thyristor  
1.25 AMPERES RMS  
600 VOLTS  
PNPN device designed for line-powered general purpose  
applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate  
drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits.  
Supplied in a cost effective plastic SOT-223 package.  
G
A
K
• Sensitive Gate Allows Direct Triggering by Microcontrollers and  
Other Logic Circuits  
• On–State Current Rating of 1.25 Amperes RMS at 80°C  
• Surge Current Capability – 20 Amperes  
4
• Immunity to dV/dt – 20 V/µsec Minimum at 110°C  
• Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity  
• Blocking Voltage to 600 Volts  
1
2
3
SOT–223  
CASE 318E  
STYLE 10  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Off–State Voltage (Note 1.)  
V
V
600  
Volts  
DRM,  
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
(T = *40 to 110°C, Sine Wave, 50 to  
J
RRM  
60 Hz; Gate Open)  
1
2
3
4
Anode  
On-State RMS Current  
(T = 80°C) 180° Conduction Angles  
C
I
1.25  
20  
Amp  
T(RMS)  
Gate  
Peak Non-Repetitive Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz,  
I
Amps  
TSM  
Anode  
T = 25°C)  
J
2
2
Circuit Fusing Consideration (t = 10 ms)  
I t  
0.415  
0.1  
A s  
Forward Peak Gate Power  
P
Watt  
Watt  
Amp  
Volts  
°C  
GM  
(T = 25°C, Pulse Width v 1.0 µs)  
A
Forward Average Gate Power  
P
0.20  
1.2  
G(AV)  
(T = 25°C, t = 20 ms)  
A
Forward Peak Gate Current  
I
GM  
(T = 25°C, Pulse Width v 1.0 µs)  
A
Reverse Peak Gate Voltage  
V
5.0  
GRM  
(T = 25°C, Pulse Width v 1.0 µs)  
A
Operating Junction Temperature Range  
T
J
–40 to  
110  
@ Rate V  
and V  
RRM  
DRM  
Storage Temperature Range  
T
stg  
–40 to  
150  
°C  
(1) V  
DRM  
and V for all types can be applied on a continuous basis. Ratings  
RRM  
apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall  
not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking  
voltages shall not be tested with a constant source such that the voltage  
ratings of the devices are exceeded.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
December, 2000 – Rev. 0  
NCR169D/D  
1234

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