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X0202(SOT-223)

更新时间： 2024-02-05 15:50:40

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友顺 - UTC		栅栅极
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5页	198K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM)

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X0202(SOT-223) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
最大漏电流：	0.5 mA	通态非重复峰值电流：	25 A
最大通态电压：	1.45 V	最大通态电流：	800 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

X0202(SOT-223) 数据手册

UTC X0202/A

SCR

ELECTRICAL CHARACTERISTICS^{(Tj=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

VDRM=VRRM, RGK=1kΩ

Peak Forward or Reverse Blocking

µ A

_DRM, I_RRM

Current

Tj =25°C

500

Tj =125°C

1.45

200

0.8

Peak Forward On-State Voltage

Gate Trigger Current

V_TM

IGT

VGT

ITM= 2.5A, tp=380µs

VD=12V, RL=140Ω

VD=VDRM, RL=3.3kΩ,RGK=1kΩ,

(Tj=125°C)

µ A

Gate Trigger Voltage

Gate Non-Trigger Voltage

0.1

VGD

IT=50mA, RGK=1kΩ

IG=1mA, RGK=1kΩ

V^D=67%VDRM, RGK=1kΩ,

(Tj=110°C)

IRG=10µ A

(Tj=125°C)

Holding Current

Latch Current

I_H

I_L

Critical Rate of Rise of Off-State

dv/dt

V/µs

Voltage

Peak Reversed Gate Voltage

Threshold Voltage

VRG

VTO

mΩ

0.9

200

Dynamic Resistance

(Tj=125°C)

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

Rth(j-t)

PARAMETER

VALUE

UNIT

°C/W

Junction to tab

Junction to ambient

(S=5cm)

Rth(j-a)

°C/W

S=Copper surface under tab

TYPICAL CHARACTERISTICS CURVE

Figure 1.Maximum Average Power Dissipation

Figure 2-1.Average and D.C. On-state Current

vs. Average On-stage Current

vs.Lead Temperature

IT(av)(A)

P(W)

1.2

1.4

1.2

D.C.

α=180°

1.0

0.8

0.6

α=180°

0.6

0.4

360°

0.2

0.0

Ttab (℃)

IT(av)(A)

0.0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

100

125

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R301-006,A

123 4 5

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