是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | HYBRID | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS128K8-25CQE | WEDC |
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SRAM Module, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, | |
WS128K8-25CQEA | WEDC |
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SRAM Module, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, | |
WS-128K8-35CC | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS128K8-35CC | WEDC |
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SRAM Module, 128KX8, 35ns, Hybrid, CDIP32, | |
WS128K8-35CCE | WEDC |
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SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, | |
WS128K8-35CCEA | WEDC |
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SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, | |
WS-128K8-35CI | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS128K8-35CI | WEDC |
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SRAM Module, 128KX8, 35ns, Hybrid, CDIP32, | |
WS128K8-35CIE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, | |
WS-128K8-35CM | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |