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| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.56 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | LG-MAX |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 | 长度： | 42.8 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 座面最大高度： | 5.13 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WMS512K8L-100DECE | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32 |
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| WMS512K8L-100DECEA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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| WMS512K8L-100DEIE | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32 |
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| WMS512K8L-100DEIEA | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32 |
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| WMS512K8L-100DEME | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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| WMS512K8L-100DEMEA | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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| WMS512K8L-120CCE | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMI |
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| WMS512K8L-120CCEA | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMI |
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| WMS512K8L-120CME | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMI |
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| WMS512K8L-120CMEA | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMI |
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