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WMS128K8L-35CIE

更新时间: 2024-02-10 19:05:42
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 328K
描述
x8 SRAM

WMS128K8L-35CIE 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.64
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDFP-F36
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:36字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL36,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00075 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.15 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

WMS128K8L-35CIE 数据手册

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