是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 座面最大高度: | 5.13 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WMS128K8L35CMA | WEDC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC | |
WMS128K8L-35CMA | WEDC |
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128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691 | |
WMS128K8L-35CME | ETC |
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x8 SRAM | |
WMS128K8L35DEC | WEDC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 | |
WMS128K8L-35DEC | WEDC |
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128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691 | |
WMS128K8L-35DEC | MICROSEMI |
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Standard SRAM | |
WMS128K8L35DECA | WEDC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 | |
WMS128K8L-35DECA | WEDC |
获取价格 |
128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691 | |
WMS128K8L-35DECE | ETC |
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x8 SRAM | |
WMS128K8L35DEI | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |