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WMS128K8L-100CME

更新时间: 2024-01-13 17:50:22
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其他 - ETC 静态存储器
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7页 155K
描述
x8 SRAM

WMS128K8L-100CME 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.64
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL32,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

WMS128K8L-100CME 数据手册

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