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WED9LC6816V2010BC PDF预览

WED9LC6816V2010BC

更新时间： 2024-02-18 05:17:42
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 动态存储器静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 1482K
描述
Memory Circuit, SDRAM+SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153

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WED9LC6816V2010BC 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MO-163, BGA-153
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
其他特性：256K X 32-BIT SRAM ALSO AVAILABLEJESD-30 代码：R-PBGA-B153
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：153字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

WED9LC6816V2010BC 数据手册

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WED9LC6816V  
256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM – External Memory  
Solution for Texas Instruments TMS320C6000 DSP  
FEATURES  
DESCRIPTION  
 Clock speeds:  
The WED9LC6816V is a 3.3V, 256K x 32 Synchronous Pipeline  
SRAM and a 4Mx32 Synchronous DRAM array constructed with  
one 256K x 32 SBSRAM and two 4Mx16 SDRAM die mounted on  
a multilayer laminate substrate. The device is packaged in a 153  
lead, 14mm x 22mm, BGA.  
• SSRAM: 200, 166,150, and 133 MHz  
• SDRAMs: 125 and 100 MHz  
 DSP Memory Solution  
• Texas Instruments TMS320C6201  
• Texas Instruments TMS320C6701  
 Packaging:  
The WED9LC6816V provides a total memory solution for the  
Texas Instruments TMS320C6201 and the TMS320C6701 DSPs  
The Synchronous Pipeline SRAM is available with clock speeds  
of 200, 166,150 and 133 MHz, allowing the user to develop a fast  
external memory for the SSRAM interface port .  
• 153 pin BGA, JEDEC MO-163  
 3.3V Operating supply voltage  
The SDRAM is available in clock speeds of 125 and 100 MHz,  
allowing the user to develop a fast external memory for the SDRAM  
interface port.  
 Direct control interface to both the SSRAM and SDRAM  
ports on the “C6x”  
The WED9LC6816V is available in both commercial and industrial  
temperature ranges.  
 Common address and databus  
 65% space savings vs. monolithic solution  
 Reduced system inductance and capacitance  
This product is subject to change without notice.  
Figure 1 – PIN CONFIGURATION  
TOP VIEW  
PIN DESCRIPTION  
A0-17  
DQ0-31  
SSCK  
Address Bus  
Data Bus  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ19  
DQ18  
VCCQ  
DQ17  
DQ16  
VCCQ  
NC  
DQ23  
DQ22  
VCCQ  
DQ21  
DQ20  
VCCQ  
NC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
NC  
A8  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
NC  
NC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
A2  
DQ24  
DQ25  
VCCQ  
DQ26  
DQ27  
VCCQ  
A4  
DQ28  
DQ29  
VCCQ  
DQ30  
DQ31  
VCCQ  
A5  
A
B
C
D
E
F
SSRAM Clock  
SDCE#  
SSADC#  
SSWE#  
SSOE#  
SDCK  
SSRAM Address Status Control  
SSRAM Write Enable  
SSRAM Output Enable  
SDRAM Clock  
SDWE# SDA10  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
SDCK  
VSS  
SDRAS#  
SDCAS#  
SDWE#  
SDA10  
SDRAM Row Address Strobe  
SDRAM Column Address Strobe  
SDRAM Write Enable  
SDRAM Address 10/auto precharge  
SDRAS# SDCAS#  
G
H
J
NC  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
A1  
A3  
A10  
A6  
A7  
A9  
A0  
A11  
A12  
BWE0-3#  
SSRAM Byte Write Enables SDRAM  
SDQM 0-3  
A17  
NC/A18 NC/A19  
NC  
NC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
A13  
A14  
K
L
NC  
NC  
NC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
VCC  
BWE2# BWE3#  
BWE0# BWE1#  
A15  
A16  
SSCE#  
SDCE#  
VCC  
Chip Enable SSRAM Device  
Chip Enable SDRAM Device  
Power Supply pins  
VCCQ  
DQ12  
DQ13  
VCCQ  
DQ14  
DQ15  
VCCQ  
DQ11  
DQ10  
VCCQ  
DQ9  
DQ8  
VCCQ  
DQ4  
DQ5  
VCCQ  
DQ6  
DQ7  
VCCQ  
DQ0  
DQ1  
VCCQ  
DQ2  
DQ3  
M
N
P
R
T
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
SSCK  
VSS  
VCCQ  
VSS  
Data Bus Power Supply pins,  
Ground  
NC  
No Contact  
SSADC# SSWE#  
SSOE# SSCE#  
U
Microsemi Corporation reserves the right to change products or specifications without notice.  
July 2010 © 2010 Microsemi Corporation. All rights reserved.  
Rev. 2  
1
Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
1234567...26

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与WED9LC6816V2010BC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
WED9LC6816V2010BI MICROSEMI

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 		Memory Circuit, SDRAM+SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
WED9LC6816V2010BI WEDC

获取价格

 		256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC WEDC

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 		256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC MICROSEMI

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 		Memory Circuit, SDRAM+SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
WED9LC6816V2012BI WEDC

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 		256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6816V-BC ETC

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 		SSRAM/SDRAM MCP
WEDEMO ICHAUS

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WEDF1M32B-070G2TC5 WEDC

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