是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 200 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.33 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.75 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N200 |
内存密度: | 2415919104 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 200 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX72 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W3EG7232S262AD4-X | WEDC |
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256MB - 32Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED w/PLL | |
W3EG7232S262BD4IM | MICROSEMI |
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DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4IMG | MICROSEMI |
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DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4IS | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4ISG | MICROSEMI |
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DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4M | MICROSEMI |
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DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4MG | WEDC |
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DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4-MG | MICROSEMI |
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32MX72 DDR DRAM MODULE, 0.75ns, DMA200, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4S | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200 | |
W3EG7232S262BD4SG | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |