是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.75 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B107 | 长度: | 133.48 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX8 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 30.48 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3.81 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W3EG72129S265JD3M | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
W3EG72129S265JD3MG | WEDC |
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DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
W3EG72129S265JD3S | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
W3EG72129S265JD3SG | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
W3EG72129S335JD3 | WEDC |
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1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED w/PLL | |
W3EG72129S335JD3 | MICROSEMI |
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DDR DRAM Module, 128MX8, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184 | |
W3EG72129S335JD3M | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 | |
W3EG72129S335JD3MG | WEDC |
获取价格 |
暂无描述 | |
W3EG72129S335JD3S | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184 | |
W3EG72129S403JD3 | WEDC |
获取价格 |
1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED w/PLL |