是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 200 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.73 |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-XDMA-N200 |
内存密度: | 4294967296 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 200 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX64 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W3EG6466S335BD4SG | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200 | |
W3EG6466S-AD4 | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL | |
W3EG6466S-BD4 | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL | |
W3EG6467S202D4 | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED | |
W3EG6467S202D4M | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, SO-DIMM-200 | |
W3EG6467S202D4M | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, SO-DIMM-200 | |
W3EG6467S202D4MG | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200 | |
W3EG6467S202D4MG | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200 | |
W3EG6467S202D4S | WEDC |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, SO-DIMM-200 | |
W3EG6467S202D4S | MICROSEMI |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, SO-DIMM-200 |