是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 4.31 | 其他特性: | BRIDGE RECTIFIER AVAILABLE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 47 A |
最大漏源导通电阻: | 0.12 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X8 | JESD-609代码: | e4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 595 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 130 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | SILVER |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VUM33-06PH | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
VUM33-06PH | LITTELFUSE |
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PFC Mosfet模块系列提供强大的输入整流桥和Mosfet,快速二极管采用升压 (PF | |
VUM35-05P1 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
VUM85-05A | IXYS |
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Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction | |
VUO100 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO100-08NO7 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO100-12NO7 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO100-14NO7 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO100-16NO7 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge | |
VUO105 | IXYS |
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Three Phase Rectifier Bridge |