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VS-6ESH06-M3/86A

更新时间： 2024-01-02 06:36:16
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管超快速软恢复二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, TO-277A,

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VS-6ESH06-M3/86A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.65其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE
应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：TO-277AJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.04 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-6ESH06-M3/86A 数据手册

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VS-6ESH06-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
100  
10  
1
10  
8
RMS limit  
6
D = 0.02  
D = 0.05  
D = 0.1  
D = 0.2  
D = 0.5  
DC  
4
2
0
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
0
2
4
6
8
10  
VR - Reverse Voltage (V)  
IF(AV) - Average Forward Current (A)  
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage  
Fig. 5 - Forward Power Loss Characteristics  
180  
140  
120  
100  
80  
170  
125 °C  
DC  
160  
150  
140  
60  
25 °C  
Square wave (D = 0.50)  
80 % rated VR applied  
40  
20  
IF = 6 A  
See note (1)  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
100  
1000  
IF(AV) - Average Forward Current (A)  
dIF/dt (A/μs)  
Fig. 4 - Maximum Allowable Case Temperature  
vs. Average Forward Current  
Fig. 6 - Typical Reverse Recovery Time vs. dIF/dt  
410  
360  
310  
260  
210  
160  
110  
60  
125 °C  
25 °C  
IF = 6 A  
1000  
10  
100  
dIF/dt (A/μs)  
Fig. 7 - Typical Stored Charge vs. dIF/dt  
Note  
(1)  
Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC  
;
Pd = forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 5);  
PdREV = inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = rated VR  
Revision: 16-May-17  
Document Number: 94984  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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