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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-60APU02-N3
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VS-60APU02-N3

更新时间： 2024-10-02 11:58:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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9页 212K
描述
Ultrafast Soft Recovery Diode, 60 A FRED Pt®

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VS-60APU02-N3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.08 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：800 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：50 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-60APU02-N3 数据手册

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VS-60EPU02PbF, VS-60EPU02-N3, VS-60APU02PbF, VS-60APU02-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 60 A FRED Pt®  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
• Low forward voltage drop  
• 175 °C operating junction temperature  
TO-247AC modified  
TO-247AC  
• Output rectification  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Base  
common  
cathode  
2
Base  
common  
cathode  
2
• Designed  
and  
qualified  
according  
to  
JEDEC-JESD47  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
(-N3 only)  
BENEFITS  
3
1
Anode  
1
Anode  
3
• Reduced RFI and EMI  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
• Reduced parts count  
Anode  
Cathode  
VS-60EPU02PbF  
VS-60EPU02-N3  
VS-60APU02PbF  
VS-60APU02-N3  
PRODUCT SUMMARY  
TO-247AC,  
TO-247AC modified (2 pins)  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
Package  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems.  
IF(AV)  
VR  
60 A  
200 V  
The softness of the recovery eliminates the need for a  
snubber in most applications. These devices are ideally  
suited for HF welding, power converters and other  
applications where switching losses are not significant  
portion of the total losses.  
VF at IF  
1.08 V  
t
rr typ.  
See Recovery table  
175 °C  
TJ max.  
Diode variation  
Single die  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
200  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
V
Continuous forward current  
IF(AV)  
TC = 127 °C  
60  
Single pulse forward current  
IFSM  
TC = 25 °C  
800  
A
Maximum repetitive forward current  
Operating junction and storage temperatures  
IFRM  
Square wave, 20 kHz  
120  
TJ, TStg  
- 55 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 μA  
IF = 60 A  
200  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
0.98  
0.81  
-
1.08  
0.88  
50  
2
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 60 A, TJ = 175 °C  
VR = VR rated  
μA  
mA  
pF  
Reverse leakage current  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 200 V  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
87  
8.0  
-
Measured lead to lead 5 mm from package body  
-
nH  
Revision: 15-Aug-11  
Document Number: 94021  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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VS-60APU02-N3 替代型号

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