| 是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
| 生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-92 |
| 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数: | 3 |
| Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
| 风险等级: | 5.03 | Is Samacsys: | N |
| 其他特性: | LOW THRESHOLD | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.099 A |
| 最大漏极电流 (ID): | 0.23 A | 最大漏源导通电阻: | 7.5 Ω |
| FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 8 pF |
| JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
| 端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
| 子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
| 端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | WIRE |
| 端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
| Base Number Matches: | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| VN2222LLRL | ONSEMI |
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| VN2222LLRLRAG | ONSEMI |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VN2222LL-GP005 | MICROCHIP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
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| VN2222LL-GP013 | MICROCHIP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
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| VN2222LL-GP014 | MICROCHIP |
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SMALL SIGNAL, FET |
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| VN2222LL/D | ETC |
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Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts |
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| VN2222LL18-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2222LLG | ONSEMI |
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Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts |
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| VN2222LLP006 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2222LLP007 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2222LLP008 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN2222LLP017 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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