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VN2222LLRLRP

更新时间： 2024-02-23 00:06:13
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 72K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

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VN2222LLRLRP 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.66
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.15 A
最大漏极电流 (ID)：0.15 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VN2222LLRLRP 数据手册

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by VN2222LL/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel — Enhancement  
3 DRAIN  
Motorola Preferred Device  
2
GATE  
1 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
1
Drain–Source Voltage  
V
DSS  
2
3
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
60  
GS  
CASE 29–04, STYLE 22  
TO–92 (TO–226AA)  
Gate–Source Voltage  
— Continuous  
— Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
V
±20  
±40  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
GSM  
p
Drain Current  
Continuous  
Pulsed  
mAdc  
I
150  
1000  
D
I
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
400  
3.2  
mW  
mW/°C  
A
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
312.5  
300  
Unit  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
θJA  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes, 1/16″ from case  
for 10 seconds  
T
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
60  
—
Vdc  
(BR)DSS  
(V  
GS  
= 0, I = 100 µAdc)  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
µAdc  
DSS  
(V  
DS  
(V  
DS  
= 48 Vdc, V  
= 48 Vdc, V  
= 0)  
—
—
10  
500  
GS  
GS  
= 0, T = 125°C)  
J
Gate–Body Leakage Current, Forward  
(V = 30 Vdc, V = 0)  
I
—
–100  
nAdc  
GSSF  
GSF  
DS  
(1)  
ON CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage  
V
0.6  
2.5  
Vdc  
GS(th)  
(V  
DS  
= V , I = 1.0 mAdc)  
GS  
D
Static Drain–Source On–Resistance  
r
Ω
DS(on)  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 10 Vdc, I = 0.5 Adc)  
—
—
7.5  
13.5  
D
= 10 Vdc, I = 0.5 Vdc, T = 125°C)  
D
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997
1234

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