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VI4CU327228DTNL1

更新时间: 2024-02-12 05:28:22
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 582K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184

VI4CU327228DTNL1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:2415919104 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

VI4CU327228DTNL1 数据手册

 浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第7页 
256MB DDR PC3200 SYNCHRONOUS  
DRAM DIMM WITH ECC  
VI4CU327228DTNL1  
REVISION HISTORY  
Revision  
Release Date  
Description of Change  
Checked By (Full Name)  
John Le  
Gan Chen  
A
B
January 21, 2003  
March 31,2003  
Initial Release  
Change PCB high to 1.25”  
Viking InterWorks30200 Avenida de las BanderasRancho Santa Margarita, CA 92688  
Tel (800) 338-2361 Fax (949) 459-2884Website: http://www.vikinginterworks.com  
This Data Sheet is subject to change without notice.  
PS4CU327228DTNL1  
Doc. #  
Revision B Created By: Sandra Lutsch  
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