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VI4CU327228DTNL1

更新时间: 2024-01-07 00:39:31
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 582K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184

VI4CU327228DTNL1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:2415919104 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

VI4CU327228DTNL1 数据手册

 浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VI4CU327228DTNL1的Datasheet PDF文件第7页 
256MB DDR PC3200 SYNCHRONOUS  
DRAM DIMM WITH ECC  
VI4CU327228DTNL1  
MECHANICAL OUTLINE  
In Inches  
FRONT  
5.25  
0.062 FULL  
R X4  
1.250  
0.090  
0.700  
0.393  
.090R, .150 high  
1.950  
.098, 2 pl  
.039  
2.550  
.050  
5.077  
BACK  
0.100  
Max.  
Side View  
Note: All dimensions in inches, tolerance: +/- 0.005"  
Viking InterWorks30200 Avenida de las BanderasRancho Santa Margarita, CA 92688  
Tel (800) 338-2361 Fax (949) 459-2884Website: http://www.vikinginterworks.com  
This Data Sheet is subject to change without notice.  
PS4CU327228DTNL1  
Doc. #  
Revision B Created By: Sandra Lutsch  
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