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V60D45C-M3/I PDF预览

V60D45C-M3/I

更新时间： 2024-02-04 21:11:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPD, 3/2 PIN

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V60D45C-M3/I 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：2.27
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.64 V
JEDEC-95代码：TO-263ACJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：320 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：2500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

V60D45C-M3/I 数据手册

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V60D45C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS® eSMP® Series  
TO-263AC (SMPD)  
• Very low profile - typical height of 1.7 mm  
• Ideal for automated placement  
K
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
2
of 260 °C  
Top View  
Bottom View  
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code; base P/NHM3  
PIN 1  
PIN 2  
K
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
HEATSINK  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-263AC (SMPD)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IF(AV)  
2 x 30 A  
45 V  
VRRM  
Base P/N-M3  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
IFSM  
320 A  
0.48 V  
150 °C  
commercial grade  
VF at IF = 30 A  
TJ max.  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified   
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)  
Package  
TO-263AC (SMPD)  
Diode variations  
Dual common cathode  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HM3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: as marked  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V60D45C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
45  
60  
30  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
320  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
°C  
Revision: 06-May-15  
Document Number: 89997  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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