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UTT10N10L-TM3-T

更新时间： 2024-02-29 06:53:03

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友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	148K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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UTT10N10L-TM3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	13 mJ
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	156 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	45 W
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
表面贴装：	YES	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UTT10N10L-TM3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT10N10

Preliminary

Power MOSFET

10A, 100V N-CHANNEL

MOSFET



DESCRIPTION

The UTC UTT10N10 is an N-channel enhancement mode power

MOSFET using UTC’s advanced technology to provide the

customers with a minimum on-state resistance, high switching speed

and ultra low gate charge. It also can withstand high energy pulse in

the avalanche and commutation mode.



FEATURES

* R_DS(on)<180mΩ @V_GS= 10 V,I_D=6.4A

* High Switching Speed

* Low C_RSS(Typically 20pF)

* Low Gate Charge(Typically 12nC)



SYMBOL

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UTT10N10L-TM3-T

UTT10N10L-TN3-T

UTT10N10L-TN3-R

UTT10N10G-TM3-T

UTT10N10G-TN3-T

UTT10N10G-TN3-R

TO-251

TO-252

Tube

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-714.c

12 3

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与UTT10N10L-TM3-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UTT10N10L-TN3-R	UTC	10A, 100V N-CHANNEL MOSFET	获取价格
UTT10N10L-TN3-T	UTC	10A, 100V N-CHANNEL MOSFET	获取价格
UTT10NN03	UTC	N-CH	获取价格
UTT10NP06	UTC	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/ P-CHANNEL)	获取价格
UTT10NP06G-K08-5060-R	UTC	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
UTT10NP06G-S08-R	UTC	DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/ P-CHANNEL)	获取价格